loading
Выполняется запрос

Свет Тепло Кабель

Свет Тепло Кабель
Поиск Очистить
График работы в праздничные дни
Подробнее Скрыть
Больше новостей в нашей группе Вконтакте!
Подробнее Скрыть
Победители нашего конкурса
Подробнее Скрыть
Победители нашего конкурса
Подробнее Скрыть
Каталог
Новости
21.07.2017
Сегодня мы уже не можем представить жизнь без электрической энергии – наши дома подключены к...
05.07.2017
Переход на новые световые решения сократил расходы на свет на 60%  Philips Lighting, мировой лидер в области...
Физические основы свечения светодиода

Физические основы свечения светодиода

30.06.2017

Принцип работы светодиодного кристалла

Как полупроводниковый диод, светодиод - это полупроводниковый элемент, имеющий p-n переход. Ток легко проходит в прямом направлении от анода к катоду и не проходит в обратном.

Если в полупроводнике есть p-n-переход, то на границе между областями с дырочной p и электронной n проводимостью при положительном потенциале на p-области и отрицательном — на n-области, потенциальный барьер в p-n-переходе снижается и электроны из n-области инжектируются в р-область. Инжектированные электроны и дырки рекомбинируют с выделением энергии. Эта энергия выделяется либо в виде тепла, либо излучения (излучательная рекомбинация). Для того, чтобы p-n переход излучал свет, ширина запрещенной зоны p-n перехода светодиода должна быть близка к энергии фотонов видимого диапазона излучения.

Производство первых светодиодов начиналось с изготовления структур на базе арсенида галлия, излучающих красный и инфракрасный свет. Длина волны излучаемого света, то есть цвет свечения, определяется величиной энергетического барьера на границе p и n областей.

После изобретения красного и инфракрасного светодиодов с низкой энергией излучения, дальнейшие исследования проводились в направлении повышения эффективности светодиодов и увеличения энергии излучаемых фотонов. Для повышения эффективности, вероятность излучательной рекомбинации должна быть высокой, для чего полупроводниковый чип должен содержать мало дефектов, из-за которых повышается вероятность тепловой рекомбинации. Вероятность излучательной рекомбинации также прямо зависит от концентрации электронно-дырочных пар, поэтому наряду с повышением концентраций основных носителей в p- и n- областях желательно уменьшать толщину активной области, в которой идет рекомбинация. Эти условия в той или иной степени противоречат друг другу и одного p-n-перехода бывает недостаточно. Приходится изготавливать многослойные полупроводниковые структуры, или гетероструктуры, за изучение которых российский академик Жорес Алферов получил Нобелевскую премию 2000 года.

Источник: led-displays.ru

*Под скидкой до 50% подразумевается, что после регистрации в колонке "Ваша цена" будет указана цена уже со скидкой, на разные группы товаров скидка будет отличатся. Обращаем Ваше внимание на то, что вся информация, размещенная на настоящем интернет-сайте, носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 Гражданского кодекса Российской Федерации. Для получения точной информации о наличии и цене товара, пожалуйста, обращайтесь к менеджерам интернет-магазина по телефону +7 951 133 8 133

Так же приводим к Вашему Сведению, что фотографии и наличие товаров на складе указаны для предварительного ознакомления, и могут отличатся от действительности. Все подробные характеристики, фото модификаций, а так же наличие товара, запрашивайте у менеджеров компании, любым удобным для Вас средством связи.